买卖IC网 >> 产品目录43520 >> BSD316SN L6327 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 datasheet 分离式半导体产品
型号:

BSD316SN L6327

库存数量:5,730
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSD316SN L6327 PDF下载
产品变化通告 Product Discontinuation 30/Nov/2011
产品目录绘图 Mosfet SOT-363 Dual
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 160 毫欧 @ 1.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 3.7µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 0.6nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 94pF @ 15V
功率 - 最大 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装 PG-SOT363-6
包装 标准包装
其它名称 BSD316SN L6327INDKR
相关资料
供应商
公司名
电话
深圳市新良宇电子有限公司 0755-83237632 李先生
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彭银平 彭银平
北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645
深圳市奥伟斯科技有限公司 0755-83254770 江小姐 ADS触摸芯片一级代理
深圳市深科创科技有限公司 0755-83247290 吴先生/吴小姐/朱先生
  • BSD316SN L6327 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.744 0.744
    10 0.534 5.34
    25 0.42192 10.548
    100 0.3204 32.04
    250 0.226944 56.736
    500 0.18156 90.78
    1,000 0.13884 138.84